Yeni Direkt Çevrim Materyalleri

Düşük Z değerinden dolayı selenyum kristali ideal bir fotoiletken madde değildir. K kenarı enerjisi 13 keV civarındadır ve kütle soğurma katsayısı radyasyon enerjisiyle hızlı bir şekilde azalır. Bu yüzden indirekt çevrim fosforlarıyla karşılaştırıldığında x-ışınlarını aynı etkinlikte soğurmaları için daha kalın üretilmeleri gerekir.



Daha kaliteli direkt çevrim materyalleri geniş çapta araştırılmaktadır. Bunlar PbO, PbI2 , HgI2 ve CdZnTe dir. Hepsi selenyumdan daha iyi foton soğurma özelliğine sahiptir. Aynı kalınlıktaki yapılandırılmış CsI kristallerinden daha iyi soğurma özelliği gösterirler. Bu kristaller foton başına daha çok sinyal üretilmesini sağlayarak sinyal/gürültü oranını artırırlar. Ama bu kristallerin hatasız, kararlı, düşük gürültü oranı ve düşük hafıza etkisinde üretilmeleri zordur.