Genelde selenyum (Z=34) tercih edilir. Okuma prosedürü indirekt dedektörlerde elektronik yapı olarak aynıdır. Direkt dedektörlerde elektronlar fotoiletken maddelerde üretilir ve sintilatör ekranlar kullanılmaz. Okuma için dedektörün ön tarafındaki ince metal plakaya(elektrot) (-) voltaj uygulanır. Böylece dedektör elemanları elektroda göre (+) voltaja sahip olurlar. X-ışını soğurumu sırasında fotoiletken maddede üretilen elektronlar elektrik alanın etkisiyle devre elemanlarına doğru hareket ederler. Yük birikimi ve ardından okuma işlemi aynı elektronik işlemlerle gerçekleştirilir.
İndirekt düzlem-panel sistemlerde ekranlarda üretilen ışınlar TFT tabakalarına taşınırlar. Ama ışığın küresel yayılımından dolayı büyük kısmı doğrultusunu değiştirir ve bu görüntüde bulanıklığa neden olur. Bunun için ekranlarda yapılandırılmış CsI kristaller kullanılır. Böylece bulanıklık önemli ölçüde azaltılır ama tam olarak engellenemez. Direkt çevrim metodunda elektronlar ikincil sinyal taşıyıcılardır ve elektrik alanla çok doğrusal yörüngelerde hareket ettirilirler. Bu yüzden direkt radyografide bulanıklık etkisi tamamen ortadan kaldırılabilir. Farklı elektrot dizaynıyla elektrik alan çizgileri yerel olarak değişir. Ve dedektör elemanının duyarsız bölgesine gelen elektronlar da algılanır. Böylece dolgu faktörü artırılmış olur. Direkt sistemlerde uzaysal çözünürlük sadece piksel boyutlarıyla sınırlanır.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder